.
: 71.   .:    1     2      3      4   


ГОСТ 17465-80  действующий

Диоды полупроводниковые. Основные параметры

: 01.01.1982

ГОСТ 18986.14-85  действующий

Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений

: 30.06.1986

ГОСТ 18986.24-83  действующий

Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения

: 30.06.1984

ГОСТ 19656.10-88  действующий

Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь

: 30.06.1989

ГОСТ 19834.0-75  действующий

Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров

: 30.06.1976

ГОСТ 19834.2-74  действующий

Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости

: 01.01.1976

ГОСТ 19834.3-76  действующий

Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения

: 30.06.1977

ГОСТ 19834.4-79  действующий

Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения

: 30.06.1981

ГОСТ 19834.5-80  действующий

Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения

: 01.01.1982

ГОСТ 23448-79  действующий

Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры

: 01.01.1981

ГОСТ 24352-80  действующий

Излучатели полупроводниковые. Основные параметры

: 01.01.1982

ГОСТ 24354-80  действующий

Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры

: 01.01.1982

ГОСТ 24459-80  действующий

Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

: 01.01.1982

ГОСТ 24460-80  действующий

Микросхемы интегральные цифровых устройств. Основные параметры

: 01.01.1982

ГОСТ 24613.0-81  действующий

Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров

: 01.01.1982

  >> Электроника >> Конденсаторы