| ГОСТ 17465-80 действующий Диоды полупроводниковые. Основные параметры : 01.01.1982 |
| ГОСТ 18986.14-85 действующий Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений : 30.06.1986 |
| ГОСТ 18986.24-83 действующий Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения : 30.06.1984 |
| ГОСТ 19656.10-88 действующий Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь : 30.06.1989 |
| ГОСТ 19834.0-75 действующий Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров : 30.06.1976 |
| ГОСТ 19834.2-74 действующий Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости : 01.01.1976 |
| ГОСТ 19834.3-76 действующий Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения : 30.06.1977 |
| ГОСТ 19834.4-79 действующий Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения : 30.06.1981 |
| ГОСТ 19834.5-80 действующий Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения : 01.01.1982 |
| ГОСТ 23448-79 действующий Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры : 01.01.1981 |
| ГОСТ 24352-80 действующий Излучатели полупроводниковые. Основные параметры : 01.01.1982 |
| ГОСТ 24354-80 действующий Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры : 01.01.1982 |
| ГОСТ 24459-80 действующий Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры : 01.01.1982 |
| ГОСТ 24460-80 действующий Микросхемы интегральные цифровых устройств. Основные параметры : 01.01.1982 |
| ГОСТ 24613.0-81 действующий Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров : 01.01.1982 |