| ГОСТ 30617-98 действующий Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия : 30.06.2002 |
| ГОСТ 17465-80 действующий Диоды полупроводниковые. Основные параметры : 01.01.1982 |
| ГОСТ 18986.0-74 действующий Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения : 01.01.1976 |
| ГОСТ 18986.1-73 действующий Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока : 01.01.1975 |
| ГОСТ 18986.3-73 действующий Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока : 01.01.1975 |
| ГОСТ 18986.4-73 действующий Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости : 01.01.1975 |
| ГОСТ 18986.5-73 действующий Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения : 01.01.1975 |
| ГОСТ 18986.6-73 действующий Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления : 01.01.1975 |
| ГОСТ 18986.7-73 действующий Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда : 01.01.1975 |
| ГОСТ 18986.8-73 действующий Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления : 01.01.1975 |
| ГОСТ 18986.9-73 действующий Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления : 01.01.1975 |
| ГОСТ 18986.10-74 действующий Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности : 30.06.1976 |
| ГОСТ 18986.11-84 действующий Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь : 30.06.1985 |
| ГОСТ 18986.12-74 действующий Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода : 30.06.1976 |
| ГОСТ 18986.13-74 действующий Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора : 30.06.1976 |