| ГОСТ 19834.4-79 действующий Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения : 30.06.1981 |
| ГОСТ 19834.5-80 действующий Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения : 01.01.1982 |
| ГОСТ 23448-79 действующий Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры : 01.01.1981 |
| ГОСТ 24352-80 действующий Излучатели полупроводниковые. Основные параметры : 01.01.1982 |
| ГОСТ 24354-80 действующий Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры : 01.01.1982 |
| ГОСТ 24459-80 действующий Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры : 01.01.1982 |
| ГОСТ 24460-80 действующий Микросхемы интегральные цифровых устройств. Основные параметры : 01.01.1982 |
| ГОСТ 24613.0-81 действующий Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров : 01.01.1982 |
| ГОСТ 24613.1-81 действующий Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения проходной емкости : 30.06.1982 |
| ГОСТ 24613.2-81 действующий Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения тока утечки : 30.06.1982 |
| ГОСТ 24613.3-81 действующий Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения входного напряжения : 30.06.1982 |
| ГОСТ 24613.4-81 действующий Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения времени включения и выключения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки : 30.06.1982 |
| ГОСТ 24613.5-81 действующий Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения нулевого выходного остаточного напряжения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки : 30.06.1982 |
| ГОСТ 24613.6-81 действующий Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции : 30.06.1982 |
| ГОСТ 24613.7-83 действующий Оптопары резисторные. Метод измерения светового и темнового выходного сопротивления : 30.06.1984 |